国家存储器基地项目

    分类:招标案例 作者:总管理员 发布时间:2018-12-28 阅读量:6604

    “国家存储器基地”项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城,将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑。我公司顺利获得“国家存储器基地”项目的招标代理权,项目总投资高达240亿美元,全面建成后将实现我国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。

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